Semikron 的雙 IGBT 模塊采用現代薄型 SEMiX? 封裝，適用于半橋電源控制應用。 該模塊使用無焊接彈簧或壓配安裝觸點，允許柵極驅動器直接安裝在模塊頂部，可節省空間，且可提供更大的連接可靠性。 典型應用包括交流反相器驅動器、UPS、電子焊接和可再生能源系統。
有關合適的壓配柵極驅動器模塊，請參見 122-0385 至 122-0387
? 薄型無焊接安裝封裝
? Trenchgate 技術 IGBT
? VCE(sat) 具有正溫度系數
? 高短路電流能力
? 壓配引腳可用作輔助觸點
? UL 認證
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 1.1 kA |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | 20V |
| 配置 | 串行 |
| 封裝類型 | SEMiX?3p |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 11 |
| 晶體管配置 | 串行 |
| 尺寸 | 150 x 62.4 x 17mm |
