這些 N 通道小型信號 MOSFET 采用 ON Semiconductor 專有的高單元密度 DMOS 技術。這些產品旨在最大限度地降低電阻，同時提供堅固、可靠和快速的交換性能。它們可用于大多數需要高達 400mA 直流電的應用中，并可提供高達 2A 的脈沖電流這些產品特別適合低壓低電流應用。
電壓控制小信號開關
高飽和度電流能力
堅固且可靠
低 RDS 的高密度單元格設計（開）
應用
小型伺服馬達控制
功率 MOSFET 閘極驅動器
分類切換應用
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 200 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | TO-92 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 9 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 400 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 長度 | 5.2mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 4.19mm |
