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Infineon BSS83PH6327XTSA1 MOSFET

訂貨號(hào)：BSS83PH6327XTSA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS^? 小信號(hào) P 通道 MOSFET 具有多種功能，可能包括增強(qiáng)模式、連續(xù)漏極電流（約低至 80A）及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應(yīng)用，包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設(shè)備以及汽車(chē)工業(yè)。

· 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)（請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表）
· 無(wú)鉛引線(xiàn)電鍍，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類(lèi)型	P
最大連續(xù)漏極電流	330 mA
最大漏源電壓	60 V
封裝類(lèi)型	SOT-23
安裝類(lèi)型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	3 Ω
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	2V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	360 mW
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	2.38 nC @ 10 V
長(zhǎng)度	2.9mm
最高工作溫度	+150 °C
寬度	1.3mm
晶體管材料	Si

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