碳化硅 (SiC) MOSFET 具有非常低的靜電釋放源接通電阻，用于 1200V 額定電壓，并具有極佳的切換性能，可轉換為更高效率和緊湊的系統。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 45 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | Hip247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 100 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大功率耗散 | 270 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -10 V, +25 V |
| 寬度 | 5.15mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +200 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 105 nC @ 20 V |
| 長度 | 15.75mm |
