Trench Gate MOSFET 技術
低通態電阻 RDS（開啟）
極佳的可耐受雪崩性
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 110 A |
| 最大漏源電壓 | 250 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 24 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 694 W |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 5.3mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 157 nC @ 10 V |
| 長度 | 16.26mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
