Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設計用于提供增強功能，以滿足高質量性能要求。功能包括超低開關損耗，通態電阻，雪崩額定值以及通過AEC認證的汽車解決方案。應用包括DC-DC，電機控制，汽車和eMobility。
增強模式
耐雪崩等級
低切換和傳導功率損耗
無鉛引線電鍍；符合RoHS標準
標準封裝
OptiMOS?P通道系列：溫度范圍為-55°C至+175°C
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 40 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | TSDSON |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 13.4 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.9V |
| 最小柵閾值電壓 | 3.1V |
| 最大功率耗散 | 69 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -25 V、+25 V |
| 寬度 | 3.4mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 3.4mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 43.2 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
