乌克兰少妇性做爰_欧美在线导航_欧美久久黄_欧美永久_国产一二在线观看_狠狠操一操_欧美性视频一区二区三区_日韩中文在线视频_精品国产一二三产品区别在哪_日韩特黄特色大片免费视频_亚洲欧美日韩国产精品一区二区_国产精品国产精品国产专区蜜臀ah_国产午夜成人无码免费_插插射啊爱视频日a级_大奶子久久_国产精产国品一二三产区视频_日本少妇高潮正在线播放_视频免费1区二区三区_国产精自产拍久久久久久蜜小说_人善交videos欧美3d残废

QFET? N 通道 MOSFET，超過 31A，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動(dòng)控制。
它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù)，F(xiàn)airchild 可提供比競(jìng)爭(zhēng)平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。