RD3S100CN is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Parallel use is easy
Pb-free plating
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 10 A |
| 最大漏源電壓 | 190 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 182 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.5V |
| 最大功率耗散 | 85 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 6.4mm |
| 長度 | 6.8mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 52 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
