低漏-源通態電阻：RDS（接通）= 3.8 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
低泄漏電流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)
增強模式：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 136 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 4.5mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 156 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 81 nC @ 10 V |
| 寬度 | 10.27mm |
| 長度 | 10.35mm |
