DiodesZetex 形成一個互補對增強模式 MOSFET，設計用于最大程度地減少接通狀態電阻 （RDS（ON）），同時保持出色的切換性能，使其特別適用于高效電源管理應用。它是一種綠色設備，完全無鉛、鹵素和抗鋅。此 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封裝和 0.6mm 外形，使其特別適用于薄型應用。它提供快速切換和高效率。其 100% 無夾電感切換可確保更可靠且堅固的終端應用。
最大排放到源電壓為 20 V，最大門到源電壓為 ±12 V，具有 4mm^2 的印刷電路板印跡， 提供低門臨界電壓，提供 ESD 保護門
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 3.1 A，4.6 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V，20 V |
| 封裝類型 | U-DFN2020-6 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 0.056 O，0.168 O |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
