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Infineon TrenchStop IGBT 晶體管，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶體管，集電極-發(fā)射器電壓額定值為 600 和 650V，采用 TrenchStop? 技術(shù)。該系列包括帶有集成高速、快速恢復(fù)反并聯(lián)二極管的設(shè)備。

? 集電極-發(fā)射器電壓范圍為 600 至 650V
? 極低的 VCEsat
? 低斷開(kāi)損耗
? 短尾線電流
? 低 EMI
? 最大接點(diǎn)溫度為 175°C