IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術，可降低熱電阻和能源損耗。 這些設備提供快速切換時間，具有低尾線電流，并提供各種工業標準和專有封裝。
高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作區域 (RBSOA) 高達額定擊穿電壓
短路容量，確保 10usec
正向通態電壓溫度系數
可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管
國際標準和專有高電壓封裝
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 43 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 晶體管數 | 2 |
| 封裝類型 | SMPD |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 9 |
| 晶體管配置 | 串行 |
| 尺寸 | 25 x 23 x 5.5mm |
