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器件不僅具有在 柵極驅(qū)動(dòng)電壓下最大毫歐的業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻性能，而且還具有 98 毫歐-納庫(kù)侖的業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積指標(biāo)

賓夕法尼亞 MALVERN — 2008 年 3 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出新型第三代 TrenchFET? 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻性能和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積指標(biāo)。
新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK? SO-8 封裝的 N 溝道器件，在 柵極驅(qū)動(dòng)電壓下具有 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)（FOM），Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98 --- 創(chuàng)造了任何采用 SO-8 封裝的 VDS = 30V、VGS = 20 V 器件的新的業(yè)界紀(jì)錄。與分別為實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損耗和低開(kāi)關(guān)損耗而優(yōu)化的最接近的競(jìng)爭(zhēng)器件相比，Vishay的新器件代表了市場(chǎng)上最佳的可用規(guī)格。更低的導(dǎo)通電阻及更低的柵極電荷意味著更低的導(dǎo)通損耗和更低的開(kāi)關(guān)損耗。

Vishay Siliconix Si7192DP 將作為同步降壓式轉(zhuǎn)換器及次級(jí)同步整流和 OR-ing 應(yīng)用中的低端 MOSFET，其低導(dǎo)通及低開(kāi)關(guān)損耗將有助于穩(wěn)壓器模塊（VRM）、服務(wù)器及采用負(fù)載點(diǎn)（POL） 功率轉(zhuǎn)換器的眾多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高功效且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。

Siliconix 創(chuàng)建于 1962 年，是業(yè)界率先推出溝道功率 MOSFET 的供應(yīng)商，并于 1996 年成為 Vishay 的子公司。該公司的 TrenchFET IP 包含眾多專(zhuān)利，其中包括可追溯到 20 世紀(jì) 80 年代初的基礎(chǔ)技術(shù)專(zhuān)利。每種新一代 TrenchFET 技術(shù)均可滿足各種計(jì)算、通信、消費(fèi)類(lèi)電子及許多其他應(yīng)用對(duì)更高功率 MOSFET 性能的需求。

目前，Si7192DP 已開(kāi)始提供樣品和批量生產(chǎn)，大宗訂單的交貨周期為 10 至 12 周。

VISHAY簡(jiǎn)介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無(wú)源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一。這些元件幾乎可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類(lèi)型的電子設(shè)備。其產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，可以訪問(wèn) Internet 網(wǎng)站 。