ON Semiconductor Q2BOOST 模塊是 Si 或 SiC 混合三通道對稱升壓模塊。每個通道包含兩個 1000 V ， 150 A IGBT ，兩個 1200 V ， 30 A SiC 二極管和兩個 1600 V ， 30 A 旁路二極管。該模塊包含一個 NTC 熱敏電阻。
硅或 SiC 混合技術可最大程度提高功率密度
低切換損耗可減少系統功耗
低電感布局
壓配和焊接引腳選項
此設備無鉛，無鹵，符合 RoHS 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 101 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1000 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 晶體管數 | 2 |
| 最大功率耗散 | 79 W |
| 封裝類型 | Q2BOOST - 箱 180BG (無鉛和無鹵化物壓配引腳) |
