一系列 Infineon 的 IGBT 晶體管，帶電壓額定值為 1100 至 1600V 的集電極-發射極，采用 TrenchStop? 技術。該系列包括帶集成高速、快速恢復防并聯二極管的設備。
? 集電極-發射極電壓范圍 1100 至 1600V
? 極低 VCEsat
? 低關閉損耗
? 短尾線電流
? 低 EMI
? 最高接點溫度 175°C
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 50 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 190 W |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
