ON Semiconductor FGH30S130P 是一款具有短路陽極和現場停止溝道技術的 1300V 、 30A IGBT 。軟交換應用非常適合 FGH 30S130P ，具有高效傳導和高開關性能特性。FGH30S130P IGBT 可在并行配置下工作，并提供強大的雪崩功能。
FGH 30S130P IGBT 設計用于感應加熱、微波爐和其他家用電器。
? TO-247 封裝
?高速切換
?出色的傳導性能
? 低飽和電壓
? 高輸入阻抗
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 60 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1300 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±25V |
| 最大功率耗散 | 500 W |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
