乌克兰少妇性做爰_欧美在线导航_欧美久久黄_欧美永久_国产一二在线观看_狠狠操一操_欧美性视频一区二区三区_日韩中文在线视频_精品国产一二三产品区别在哪_日韩特黄特色大片免费视频_亚洲欧美日韩国产精品一区二区_国产精品国产精品国产专区蜜臀ah_国产午夜成人无码免费_插插射啊爱视频日a级_大奶子久久_国产精产国品一二三产区视频_日本少妇高潮正在线播放_视频免费1区二区三区_国产精自产拍久久久久久蜜小说_人善交videos欧美3d残废

　　從CPU到GPU，從內(nèi)存到顯存再到閃存，各種芯片都在搞3D堆疊工藝，而堆疊最狠的，絕對(duì)是三星電子的3D V-NAND閃存。TechInsights最近拆解了三星最新的48層3D V-NAND，被其精湛的工藝徹底征服了。

　　拆解對(duì)象是三星最新的移動(dòng)固態(tài)硬盤T3 2TB，應(yīng)用了2015年8月份發(fā)布的3D V-NAND TLC閃存顆粒，每個(gè)晶粒(Die)的容量為256Gb(32GB)，編號(hào)“K9AFGY8S0M”。

　　這塊硬盤PCB的正反面安裝了四顆閃存芯片，編號(hào)“K9DUB8S7M”，每顆容量512GB，內(nèi)部封裝了16個(gè)我們想要探索的48層堆疊3D V-NAND晶粒。

　　16顆晶粒相互堆疊以及采用傳統(tǒng)線鍵合技術(shù)連接的封裝橫截面。 這些晶粒的厚度只有40微米，是迄今所見封裝中最薄的，相比之下三星上代32層堆疊3D V-NAND中的晶粒厚度約為110微米。