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    鐵電存儲器(FRAM)產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種接口和多種密度，像工業標準的串行和并行接口，工業標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
    鐵電存儲器（ＦＲＡＭ）能兼容ＲＡＭ的一切功能，并且和ＲＯＭ技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的ＲＡＭ。
    相對于其它類型的半導體技術而言，鐵電存儲器具有一些的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類－－易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器ＳＲＡＭ和動態存儲器ＤＲＡＭ。ＳＲＡＭ和ＤＲＡＭ在掉電的時候均會失去保存的數據。ＲＡＭ類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。
    非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器（ＲＯＭ）技術。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ＲＯＭ技術研發出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術包括有ＥＰＲＯＭ（幾乎已經廢止）、ＥＥＰＲＯＭ和Ｆｌａｓｈ。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。
    鐵電存儲器能兼容ＲＡＭ的一切功能，并且和ＲＯＭ技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁－－一種非易失性的ＲＡＭ。
    當一個電場被加到鐵時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿并設置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電后數據能夠繼續保存，速度快而且不容易寫壞。
    鐵電存儲器技術和標準的ＣＭＯＳ制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于ＣＭＯＳ基層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。
    Ｒａｍｔｒｏｎ公司的鐵電存儲器技術到現在已經相當的成熟。初的鐵電存儲器采用兩晶體管／兩電容器（２Ｔ／２Ｃ）的結構，導致元件體積相對過大。近隨著鐵電材料和制造工藝的發展，在鐵電存儲器的每一單元內都不再需要配置標準電容器。Ｒａｍｔｒｏｎ新的單晶體管／單電容器結構可以像ＤＲＡＭ一樣，使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現有的２Ｔ／２Ｃ結構相比，它有效的把內存單元所需要的面積減少一半。新的設計極大的提高了鐵電存儲器的效率，降低了鐵電存儲器產品的生產成本。
    Ｒａｍｔｒｏｎ公司同樣也通過轉向更小的技術節點來提高鐵電存儲器各單元的成本效率。近采用的０．３５微米的制造工藝相對于前一代０．５微米的制造工藝，極大的降低了芯片的功耗，提高了單個晶元的利用率。
    所有這些令人振奮發展使鐵電存儲器在人們日常生活的各個領域廣為應用。從辦公室復印機、高檔服務器到汽車安全氣囊和娛樂設施，鐵電存儲器不斷改進性能在世界范圍內得到廣泛的應用。