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　　近年來(lái),電路的工作電壓不斷降低,但仍有一些電路的工作電壓是9V、12V、15V,少數(shù)還有18V或24V。由于電壓檢測(cè)器大部分電壓在6V以下(6V以上有少數(shù)品種),如何對(duì)這些高電壓進(jìn)行檢測(cè)呢?Seikc公司介紹了兩種高電壓檢測(cè)電路,可以采用6V以下的電壓檢測(cè)器加上其它元器件組成的電路來(lái)對(duì)高于6V的電壓進(jìn)行檢測(cè)。
兩種高電壓檢測(cè)電路
    Seikc公司介紹的兩種電路:分壓器法及串接二極管法。
    1.分壓器法
    它由RA、RB組成的分壓器及開(kāi)漏輸出的電壓檢測(cè)器組成。原電壓檢測(cè)器的檢測(cè)電壓為VDET,滯后電壓為VHYS,則增加了分壓器后其檢測(cè)電壓為V'DET,滯后電壓為VHYS。V'DET及VHYS與RA、RB及VDET的關(guān)系為:
    V'_{DET}=[{(R_{A}+R_{B})}over{R_{B}}] V_{DET}
    V'_{HYS}=[{(R_{A}+R_{B})}over{R_{B}}] V_{HYS}
    從公式中可以看出,在檢測(cè)電壓提高的同時(shí),其滯后電壓也相應(yīng)地增加。若RA、RB的電阻值用得較大時(shí),實(shí)際的滯后電壓要比計(jì)算的值大一些。
    RPU是上拉電阻,CIN是消除檢測(cè)電壓中的噪聲電壓的干擾。
    例如,RA=RB=1k ,VDET=6V,則V'DET=12V(提高了一倍),V'HYS也增加了一倍。
    2.串接二極管法
    若D1、D2的正向壓降為Vf1及Vf2,則串接二極管后的檢測(cè)電壓值V'DET為V'DET=Vf1+Vf2+VDET
    二極管的正向壓降可按0.7V計(jì)算,但由于電壓檢測(cè)器的工作電流甚小(1 3 A),使二極管工作在特性的彎曲部分,其實(shí)際正向壓降要比0.7V小。所以計(jì)算值與實(shí)際值有一定差值。
    第一種方法的優(yōu)點(diǎn)是可以根據(jù)要求的V'DET來(lái)設(shè)定RA、RB。缺點(diǎn)是改變了滯后特性,并且在RA、RB的阻值較大時(shí),計(jì)算的V'HYS與實(shí)際V'HYS有一定差值。
    第二種方法缺點(diǎn)較多,當(dāng)要求V'DET較高時(shí)需串接很多二極管,而且也不容易與要求的V'DET的值一致。根據(jù)上述情況,筆者采用TL431可調(diào)基準(zhǔn)電壓源及電壓檢測(cè)器設(shè)計(jì)了一種高電壓檢測(cè)電路。它可以滿(mǎn)足高電壓的檢測(cè),并且不會(huì)改變滯后電壓特性。
電路工作原理
   采用TL431(或用LT1431、AIC431等)及電壓檢測(cè)器的高電壓檢測(cè)電路。若可調(diào)基準(zhǔn)電壓源的輸出電壓(穩(wěn)壓值)為VZ,電壓檢測(cè)器的檢測(cè)電壓為VDET,則該電路的檢測(cè)電壓V'DET與VZ及VDET的關(guān)系為
    V'DET=VZ+VDET
    VZ的值由R1、R2確定,VZ與R1、R2的關(guān)系為:
    V_{Z}=2.5V(1+{R_{1}}over{R_{2}})
    式中2.5V是TL431內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓值。
    當(dāng)要求的V'DET設(shè)定后,可根據(jù)選擇的電壓檢測(cè)器VDET來(lái)確定R1、R2及R3即可。
    該電路特點(diǎn):可滿(mǎn)足35V以下的任何高電壓檢測(cè)設(shè)定;TL431的基準(zhǔn)電壓精度高,溫度系數(shù)小,所以VZ的精度高、穩(wěn)定性好;沒(méi)有改變?cè)妷簷z測(cè)器的滯后電壓特性;流過(guò)TL431的工作電流IZ小,IZ=0.5 1mA。 設(shè)計(jì)舉例 設(shè)計(jì)一個(gè)高電壓檢測(cè)電路,要求V'DET=12.25V。選擇了電壓檢測(cè)器,其檢測(cè)電壓VDET=4.75V。這里進(jìn)行電路參數(shù)的計(jì)算,并進(jìn)行電路的測(cè)試。
    可調(diào)輸出基準(zhǔn)電壓源采用TL431C,電壓檢測(cè)器采用AN051A4.75V(CMOS輸出)。電路及參數(shù)。
    1.VZ的計(jì)算
    VZ=V'DET-VDET=12.25-4.75=7.5V
    2.R1、R2的計(jì)算
    設(shè)R_{2}=10k ,R_{1}=({V_{Z}}over{2.5}-1) R_{2}=20k
    3.R3的計(jì)算
    設(shè)在TL431C工作時(shí)的IZ=0.8mA,則R_{3}={12.25V-7.5V}over{0.8mA}=5.94k R3可取6k 或6.2k
    4.VHYS的計(jì)算
    按4.75V電壓檢測(cè)器的典型VHYS=0.05VDET計(jì)算。
    VHYS=4.75V 0.05=0.237V
    按電路進(jìn)行測(cè)量:VDD從低到高增加,當(dāng)VDD=12.43V時(shí),電壓檢測(cè)器輸出從L跳變?yōu)镠;當(dāng)VDD從大于12.43V逐漸減小時(shí),在VDD=12.21V時(shí),電壓檢測(cè)器輸出從H跳變到L。將測(cè)試值與計(jì)算值列表如下作一比較,說(shuō)明計(jì)算與實(shí)測(cè)的誤差較小。
    為提高精度,R1、R2應(yīng)采用金屬膜電阻，精度1%。